關於
晶體管的結構和分類
它們的共同特點是三個電極，這就是“晶體管”的由來。壹般來說，晶體管由P型半導體和N型半導體三層組成，按層次結構順序分為兩類:NPN型和PNP型。
這三個區域是上述三層結構、相對薄的中間層的基極區域和N型或P型的另外兩個晶體管，其中尺寸相對較小、多數載流子的發射極區域、具有相對高的子濃度的層以及與集電極區域相比的另壹層。這種內部結構的特點是晶體管可以在內部條件下發揮更大的作用。
三個區域中每個引線的三個電極分別用作基極(b)中的發射極(e)和集電極(c)。
如圖B所示，三層結構可以形成兩個PN結，分別稱為發射極結和集電極結。晶體管符號中的箭頭方向表示發射極結的方向。
晶體管內部結構有兩個單向導通的PN結，當然可以作為開關元件，但同時晶體管還是壹個放大元件，推動了電子技術的跨越式發展。
晶體管2的電流放大
DC電壓源Vcc應大於Vbb，使電路滿足放大的外部條件:發射極結正向偏置，集電極反向偏置。改變可調電阻Rb，基極電流IB、集電極電流Ic和發射極電流IE都會發生變化，從測量結果可以得出以下結論:
(1)IE = IB+IC(根據基爾霍夫電流定理)
(2)IC≈IB×？(所謂電流放大系數，是晶體管中電流放大的表征)
(3)△集成電路≈△IB×？
如上所示，晶體管是ADI公司的電流放大器。
3三極管放大原理
/& gt；下面的NPN晶體管，比如內部載流子的運動規律，電流放大。
原理，
1，發射極，基極擴散電子:推出結正向偏置，連續發射極中的多數載流子(自由電子)擴散到基極，不斷補充到來自電源的電子，形成發射極電流IE。
2.基區和復合材料中的電子擴散:因為薄基區中多數載流子(空穴)的濃度非常低，所以在基區中形成相對較小的基區電流IB，在基區中只有壹小部分電子可以從發射極擴散並與空穴復合，而剩余的大部分電子可以擴散到集電極結的邊緣。
3.集電極區收集的電子從發射極區擴散:集電極結反向偏置，可以從發射極區擴散到基極區，到達集電極邊緣被拉入集電極區的電子，從而形成較大的集電極電流IC。
四個晶體管的輸入和輸出特性
輸入晶體管特性是指基極電流IB和基極-發射極電壓UBE的關系曲線，也就是恒定的集電極-發射極電壓UCE。
對於矽管，當UCE超過1V，集電極結已經達到足夠的反向偏置時，從發射極區擴散到集電極區的電子拉動了大部分基極區。然後增加，只要UCE UBE保持不變(發射區發射的電子在壹定數量的基區)，IB就基本保持不變。也就是說，輸入特性曲線後UCE超過1V時，基本重合。
從圖中可以看出，以及二極管的伏安特性，輸入晶體管的晶體管特性中出現了壹些死區，只有當UBE大於死區的電壓，基極電流IB。通常矽管的電壓在0.5V左右，鍺管的電壓在0.1V左右。在正常工作條件下，NPN矽管UBE 0.6？發射極電壓為0.7V，PNP型鍺管的發射極-基極結UBE電壓為-0.2？-0.3V .
晶體管的輸出特性，集電極電流IC集電極-發射極電壓UCE曲線當基極電流IB不變時。根據IB的不同，可以來自不同的曲線，所以壹組晶體管輸出特性的曲線。通常可以分為三個方面:
放大區:輸出特性曲線放大區附近水平部分的輸出特性曲線。在放大區，IC = IB？因此近似等於不同IB時的電流放大系數，放大的區域也稱為線性區域。當三個晶體管工作在放大區發射極結的正向偏壓時，應采用矽UBE >: 0，UBC & lt；0。
2.截止面積:IB = 0的曲線下的面積稱為截止面積。事實上，NPN矽管，當ube
3.飽和區:輸出特性曲線的陡峭部分為飽和區，IB的變化影響不大。是在IC的放大區嗎？“不再適用於飽和區。在飽和區，UCE
測量判斷晶體管公式
三極管管和管腳區分電子技術初學者的基本技能，幫助讀者快速掌握測量。
對於締約雙方的法律，筆者總結了四個公式:“倒掛，找基；PN結管；向前箭頭偏轉；不確定性，
動動妳的嘴。“我們用踩來解釋吧。
3倒掛，找底座
眾所周知，晶體管是壹種半導體器件，包含兩個PN結。可以根據以下因素進行劃分
對於NPN型和PNP型兩種不同導電類型晶體管的兩個PN結的連接，圖1為電路符號和等效電路。
測試晶體管，用萬用表擋歐姆檔，擋R×100或R× 1K..圖2數字萬用表
歐姆等效電路裝置。從圖中可以看出，紅色手寫筆接的是電池的手表負極，黑色手寫筆。
臺球桌連接到電源的正極。
假設我們不知道，也不能準確說出pin電極測量的是什麽類型的晶體管NPN或PNP。試驗
第壹步是確定哪個引腳的基礎。這時我們取任意兩個電極(比如兩個電極1，2)。
電表的兩個探針測量萬用表的正負電阻，觀察探針的偏轉角度，然後取兩個1，3電極。
2、3兩個電極，分別倒置測量它們的正負電阻，觀察表針的偏轉角度。
三次反測必須有近兩次測量的結果:(1)反測針偏轉大時，偏轉小；剩余時間將是
當然，恰恰相反，前後手的偏角小，這次不測的鳥腳就是我們要找的依據(見
圖1，圖2很好理解)。
2.在PN結中，給定的管
找到晶體管的基極後，我們就可以確定兩個電極之間PN結的方向和基。
導電類型(圖1)。到萬用表黑筆接觸的底座，紅筆接觸任何其他兩個電極的電極。
如果儀表指針的偏轉角度，測量晶體管是壹個NPN管；頭部指針偏轉壹個小角度，即
測量管為PNP型。
向前箭頭，偏轉
找出基極b，另外兩個電極，這是集電極c，發射極e？當我們
ICEO穿透可測電流決定集電極c和發射極e
(1)對於NPN晶體管，隧道電流測量電路如圖3所示。根據這個原理，使用萬用表
將黑色和紅色的筆顛倒，以測量RCE的正向和反向電阻，並記錄兩極之間的電阻。
萬用表指針偏轉角的兩次測量都很小，但仔細觀察，總有偏轉角稍大的時候，電流流動的方向壹定是:黑觸針→ C → B。
非常非常非常→→→ E紅筆，電流流動方向的箭頭剛好與晶體管符號重合(“前進箭頭”)，所以在這種情況下，
黑色觸針連接到集電極C，紅色觸針連接到發射極E..
(2)對於PNP晶體管，參數類似NPN型，電流壹定是:黑針→E→B極。
→c極→紅色鐵筆，電流的流向，箭頭符號與晶體管的方向壹致，所以
黑色的筆連接到發射器e，紅色的筆收集器必須連接到c(見圖1，如圖3所示)。
4不確定、動態的端口
在沿箭頭大撓度測量的過程中，由於前兩次測量扭曲後指針撓度太小，所以比較困難。
要區分，就要“談”。具體方法是:沿箭頭大撓度測量兩次，兩次
用手捏住兩根針的連接處，捏住(或用舌頭捏住)基電極B，仍在使用的判別法可沿箭頭分開。
大“集電極C和發射極E”的偏轉，體所起到的作用，DC偏置電阻，磁頭。
讓效果更加明顯。