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沒有euv光刻機,3nm做不出來。國產芯片如何突圍?

沒有euv光刻機,3nm做不出來。國產芯片可以采用先進的封裝技術,提高芯片性能,降低成本。

沒有EUV光刻機,並不意味著中國的芯片公司不能實現3納米工藝。通過先進的封裝技術,我國芯片企業可以利用現有的工藝水平,實現更高的芯片性能和更低的芯片成本,從而縮小與國際先進水平的差距,甚至在某些領域實現領先。

簡單來說,就是將多個不同功能或不同材料的小芯片通過特殊的連接方式組合在壹起,形成壹個性能更高、功耗更低的大芯片。這種方法可以避免單個大芯片面臨的成品率低、成本高、散熱差的問題,還可以實現不同工藝、不同材料、不同架構之間的互操作和協同工作。

先進的封裝技術主要包括以下類型:

1,2.5D包裝

多個小芯片通過矽襯底或玻璃襯底上的金屬互連連接,形成平面結構。該方法可以提高信號傳輸速度和帶寬,降低功耗和延遲。

2、3D包裝

多個小芯片通過垂直金屬互連連接形成三維結構。這種方法可以進壹步縮短信號傳輸距離和時間,提高集成度和性能。

3.扇出封裝

多個小芯片被模塑料包裹,並且在它們的表面上形成再布線層(RDL ),以實現與外部電路板的連接。這種方法可以減小封裝尺寸和成本,並提高可靠性和散熱性能。

4.CowOS(基片上晶片上芯片)封裝。

通過2.5D封裝將多個小芯片連接到壹個晶片上,然後將整個晶片連接到壹個基板上。該方法可以實現更高的信號帶寬和更低的功耗,適用於高性能計算和人工智能。

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